[发明专利]一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110891962.0 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113690399A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李文升;裴东;梁婷婷;许国峰;刘攀 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津蓝天太阳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法，制备方法为：将高镍三元前驱体、锂源、金属氟化物和含锆化合物按比例混合均匀，得到混合物；将得到的混合物在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧，得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；将得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；将得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀，在氧气条件下进行煅烧，得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。使高镍单晶三元材料放电容量、循环性能、内阻得到了明显的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阴阳 离子 掺杂 表面 双包覆 高镍单晶 三元 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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