[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在衬底上外延生长Ⅲ族氮化物异质结；刻蚀势垒层及部分沟道层，形成源极区域和漏极区域；在源极区域和漏极区域中分别形成源极和漏极；在势垒层及源极和漏极上方外延生长第一钝化层；刻蚀第一钝化层，形成源极窗口、漏极窗口和栅极窗口；采用电感耦合等离子体系统对栅极窗口下方的部分势垒层进行刻蚀工艺，刻蚀部分势垒层；采用电感耦合等离子体系统对栅极窗口下方的全部或部分势垒层进行氧化工艺，形成绝缘介质层；在栅极窗口中形成栅极。本发明的刻蚀工艺可精确控制刻蚀速率及深度，氧化工艺可精确控制绝缘介质层的生长速率和厚度，且能达到低损伤的效果。