[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202110893890.3 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN113782655A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 黄敏;刘小亮;彭康伟;林素慧 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高园园 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管及其制备方法,该发光二极管包括发光外延层,所述发光外延层包括第一台面和第二台面,形成在第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上的绝缘保护层,绝缘保护层包括含Al的绝缘层,并且可以形成单层或者多层堆叠结构。采用含Al的绝缘保护层可以减少外延层中的Al离子被置换,同时可以有效补偿芯片制程中外延层缺失的Al离子,且不会影响外延层中的Si掺杂,从而不会损伤外延层,避免外延层老化失效。含Al的绝缘保护层在紫外波段的吸收率较低,同时形成多层结构的含Al绝缘层时,可以形成高低折射率的绝缘膜层叠结构,由此可达到提亮的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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