[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110893890.3 申请日: 2019-07-31
公开(公告)号: CN113782655A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 黄敏;刘小亮;彭康伟;林素慧 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种发光二极管及其制备方法,该发光二极管包括发光外延层,所述发光外延层包括第一台面和第二台面,形成在第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上的绝缘保护层,绝缘保护层包括含Al的绝缘层,并且可以形成单层或者多层堆叠结构。采用含Al的绝缘保护层可以减少外延层中的Al离子被置换,同时可以有效补偿芯片制程中外延层缺失的Al离子,且不会影响外延层中的Si掺杂,从而不会损伤外延层,避免外延层老化失效。含Al的绝缘保护层在紫外波段的吸收率较低,同时形成多层结构的含Al绝缘层时,可以形成高低折射率的绝缘膜层叠结构,由此可达到提亮的目的。
搜索关键词: 一种 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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