[发明专利]基于SOI工艺的堆叠层栅极MOS场效应管及制备方法在审
| 申请号： | 202110893933.8 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113611735A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;杨亚芳;陈树鹏;王树龙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;陈媛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于SOI工艺的堆叠层栅极MOS场效应管及制备方法，主要解决常规器件可靠性差的问题。其自下而上包括：N型衬底层(1)、隐埋氧化层(2)、体区(3)、栅氧化层(8)、氮化硅阻抗层(9)和多晶硅层(10)；体区(3)两侧是浅槽隔离结构(4)；多晶硅层(10)两侧是Si |
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| 搜索关键词： | 基于 soi 工艺 堆叠 栅极 mos 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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