[发明专利]半导体器件解理方法有效
| 申请号： | 202110894220.3 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113345838B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;王希敏;惠利省 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨萌 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件解理方法，涉及半导体加工技术领域。所述半导体器件解理方法包括如下步骤：通过等离子刻蚀或者化学腐蚀的方式在半导体器件的上表面形成向下表面一侧凹陷的凹陷结构，自所述半导体器件的上表面朝向下表面方向，所述凹陷结构的宽度逐渐减小；在半导体器件的上表面形成绝缘保护层;将半导体器件沿凹陷结构的深度方向进行解理。凹陷结构的宽度呈逐渐递减的形式向半导体器件内部延伸，从该位置处进行解理，可以在解理时能够使应力更集中。在半导体器件上表面形成绝缘保护层，可以防止在后续解理后的小半导体器件封装过程中，由于焊料容易移到半导体器件侧面，导致P面电子与N面衬底电接触形成短路和漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 解理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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