[发明专利]沟槽型MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110894293.2 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113594255A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 崔同;万兴兴;朱开兴;加春雷 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 李修杰 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法，该器件在外延层设置有沟槽，在沟槽内填充多晶硅，在多晶硅和沟槽之间设置有厚氧化层和薄氧化层，在对应薄氧化层的沟槽上端周围的外延层上设置有Pbody基区；在厚氧化层对应的外延层处设置有N+区层；在Pbody基区上方靠近沟槽的地方设置有N+源区，在沟槽的上方设置有绝缘介质层，在绝缘介质层和外延层上方设置有源金属层，在绝缘介质层上设置有接触孔，所述接触孔将接源金属层分别与N+源区和Pbody基区相连接，所述接触孔内设置有金属。本发明通过采用深沟槽和沟槽下部分的厚氧化层，提高了相同外延参数下器件的耐压，可以用更低电阻率的外延，从而优化了导通电阻Ron。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南市半导体元件实验所，未经济南市半导体元件实验所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110894293.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连续性
- 下一篇：一种便于泄洪的市政下水道盖及其使用方法
- 同类专利
- 专利分类
