[发明专利]宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110895135.9 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113594858B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 薛正群 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/34;H01S5/20;H01S5/12;H01S5/042 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 362712 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法，其特征在于：在下波导层和上波导层之间设置有应变补偿多量子阱；所述应变补偿多量子阱包括：下部的经第一高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、中部的经第二高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、以及上部的不经高温处理的压应变AlGaInAs量子阱。其可实现超过工业级温度范围单模工作，并实现在单片上的多波长DFB阵列激光光源，同时可实现不同DFB波长的精确调控，产品可应用在5G无线网、数据中兴等应用领域，提高应用端的集成度并降低应用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 工作 单片 波长 高速 dfb 激光 光源 外延 结构 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中科光芯光电科技有限公司，未经福建中科光芯光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110895135.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锡膏自动装盖机
- 下一篇：一种填埋场高效导排结构
