[发明专利]一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备在审
| 申请号： | 202110895311.9 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113471094A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王成鑫;王同庆;田芳馨;侯映红;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学;华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中，方法包括：获取膜厚测量装置距金属薄膜的距离和金属薄膜的材质；根据所述距离和材质，确定相应的标定曲线，所述标定曲线用于表征膜厚测量装置的输出信号与膜厚之间的映射关系；实时获取所述膜厚测量装置的输出信号；根据所述标定曲线和所述输出信号，得到当前的金属薄膜的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量方法 化学 机械抛光 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
