[发明专利]一种三值理想通用压控忆阻器电路模型在审

专利信息
申请号: 202110895510.X 申请日: 2021-08-05
公开(公告)号: CN113505559A 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 张章;许傲;李超 申请(专利权)人: 合肥工业大学智能制造技术研究院
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;G06F30/394;G06F7/523;G11C7/06
代理公司: 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 代理人: 刘跃
地址: 230000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种三值理想通用压控忆阻器电路模型,涉及电路设计技术领域,采用运算放大器、乘法器、电阻和电容设计了三值忆阻器电路模型,首先由运算放大器U1完成积分运算,通过乘法器U2、运算放大器U3构成磁通量产生电路,由乘法器U4、运算放大器U5完成除法运算,随后通过乘法器U6、乘法器U7、运算放大器U8构成电导产生电路,最后通过乘法器U9、运算放大器U10得到电流量,可用于多值数字逻辑运算、神经网络电路等领域的应用研究。
搜索关键词: 一种 理想 通用 压控忆阻器 电路 模型
【主权项】:
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