[发明专利]一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质在审
| 申请号： | 202110896139.9 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113594057A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张九阳;舒天宇;卢仁贵;王永方;李霞;张红岩;高超;梁云硕;张禹亮 | 申请（专利权）人： | 上海天岳半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 董延丽 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书实施例公开了一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质，装置包括：图像获取单元，用于在原子台阶均匀平行分布的区域内，确定晶片的测试范围，获取测试范围内的晶片对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行灰度处理，确定原子台阶灰度图像，并根据预设方式以及原子台阶灰度图像，确定出符合要求的波形图；计算单元，用于根据符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸，计算原子台阶的宽度，节省了人工测算的人力、物力，避免了人工计算宽度产生的测量误差，可以通过程序实现，节约计算时间，不会引入人工测算主观误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 原子 台阶 宽度 计算 装置 方法 设备 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
