[发明专利]一种局部钝化接触的IBC电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种局部背面钝化接触的IBC太阳能电池，包括P型晶体硅基体，其背表面从内到外依次包括隧穿氧化层、交替排列的背表面n+掺杂多晶硅区域和背表面开槽处p+掺杂区域、背表面钝化膜和背表面金属电极；其前表面为金字塔绒面结构，依次为前表面钝化膜和减反射膜；P型晶体硅基体背表面的发射极区域采用隧穿氧化层以及n+掺杂多晶硅钝化层，表面采用氧化铝和氮化硅复合膜或氮氧化硅膜钝化，接受极区域采用局部硼掺杂，表面采用氧化铝和氮化硅复合膜或氮氧化硅膜钝化；本发明能避免正面电极对光线的阻挡，同时能大大降低电池背表面的复合速率，提升了开路电压和短路电流，进一步降低太阳能电池的制造成本。