[发明专利]基于同位素富集降低极化激元材料光学损耗的器件及方法有效
| 申请号： | 202110900319.X | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113625377B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 赵永潜;陈佳宁;鲍丽宏;陈建翠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的器件，包括：单元素同位素富集的极化激元材料薄片；和所述极化激元材料薄片被置于其上的衬底。本发明的器件可以是高Q值纳米微腔，波导，耦合器等极化激元光子器件。本发明还涉及一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的方法。本发明制备工艺简单，在室温下用常规的散射型近场扫描显微镜激发，即可产生寿命长，光学损耗低的声子极化激元。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 同位素 富集 降低 极化 材料 光学 损耗 器件 方法 | ||
【主权项】：
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