[发明专利]一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法在审
| 申请号： | 202110900643.1 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113802178A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李传皓;李忠辉;彭大青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/14;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)材料生长技术，通过对氮化铝成核层采用铝源和氨源的分时输运及载气转换工艺、第一氮化镓缓冲层采用高压和第二氮化镓缓冲层采用低压，载气为氢气和氮气，依次完成单晶衬底、下层氮化铝成核层、上层氮化铝成核层、第一氮化镓缓冲层、第二氮化镓缓冲层、势垒层和帽层。本发明的方法在降低氮化镓异质外延层缺陷密度的同时，改善了氮化镓异质外延与单晶衬底间的界面形貌，有利于改善氮化镓微波器件的热传输特性，提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氮化 镓异质 外延 衬底 界面 形貌 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110900643.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
