[发明专利]化合物半导体霍尔元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110900744.9 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113629184A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 何渊 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877 | 代理人： | 陶涛;王璐璐 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种化合物半导体霍尔元件和制备化合物半导体霍尔元件的方法。该化合物半导体霍尔元件包括基板、粘结层、电极部和磁感应部。该粘结层位于基板的表面上。所述电极部的至少一部分嵌入到所述粘结层中。所述磁感应部的端部叠置在所述电极部上以形成欧姆接触并通过粘结层键合到基板上。本发明属于半导体技术领域。本发明的实施例改善电极和磁感应部之间的结合力，提高了霍尔输出，由此提高了霍尔元件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 霍尔 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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