[发明专利]太阳能电池镀膜不良片中硅片的回收方法在审
| 申请号： | 202110900951.4 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113808917A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 柯益萍;张文超;万义茂 | 申请（专利权）人： | 东方日升（常州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 成荣强 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池镀膜不良片中硅片的回收方法。该回收方法包括以下步骤：去除隧穿氧化层钝化接触太阳能电池镀膜不良片的减反射层，得到第一返工片；去除第一返工片的钝化层，得到第二返工片；将第二返工片浸于碱性溶液中并进行超声波清洗，去除掺杂多晶硅层和硼扩散层，得到第三返工片，其中，碱性溶液的pH小于或等于12，温度大于或等于35℃，进行超声波清洗的步骤中，超声波的频率至少改变一次；以及去除第三返工片的隧穿氧化层，回收得到硅片。该回收方法得到的硅片表面整洁光亮，利用回收得到的硅片再次制成的TOPcon太阳能电池片具有优异的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 镀膜 不良 片中 硅片 回收 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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