[发明专利]半导体电路和半导体电路的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110901870.6 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN115425071A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 王敏;左安超;谢荣才 申请(专利权)人: 广东汇芯半导体有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/739;H01L25/07;H01L21/50
代理公司: 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 代理人: 陈建昌
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种半导体电路和半导体电路的制造方法,包括散热基板、设置在在散热基板上的电路布线层,电路布线层设置有多个连接焊盘,以及多个电子元件,配置于电路布线层的焊盘上,多个电子元件包括功率器件和驱动芯片,其中功率器件包括IGBT,IGBT的表面设置有两个或者两个以上的栅极键合区,还包括密封层,密封层至少包裹设置电路元件的散热基板的一面,引脚的一端从密封层露出。通过在IGBT的表面设置两个或者两个以上的栅极键合区,针对复杂的半导体电路,其内部如存在多个IGBT并联情况时,可以减少电路层的走线,而且可以减少栅极控制走线的干扰,增强MIPS的工作可靠性。
搜索关键词: 半导体 电路 制造 方法
【主权项】:
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