[发明专利]高频开关整流吸收电路瞬态模型及电路参数测试方法在审

专利信息
申请号: 202110902015.7 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN113824299A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 游伏生;罗赞兴 申请(专利权)人: 东莞市迈思普电子有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M7/06;G01R31/28
代理公司: 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 代理人: 李朦
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一频开关整流吸收电路瞬态模型,包括信号电压Vin,信号电压串联接有电阻R1、电感L和电容Ce,电容Ce上并联接有整流二极管D1/D2,整流二极管D1/D2上并联接有电容C2和电阻R2;高频开关整流吸收电路参数测试方法,包括以下步骤:S1、将R2短路,C2开路,测试整流D1/D2的反向电压的最大电压Voff和震荡频率f0,震荡频率f0的计算公式为S2、将R2短路,逐渐增加电容C2,使得震荡频率f=f0/2;S3、计算寄生电容Ce和寄生电感L,寄生电容Ce的计算公式为Ce=C2/3,寄生电感L的计算公式为L=1/Ce(2πfo)2;S4、计算吸收电阻R2和吸收电容C2,吸收电阻R2的计算公式为吸收电容C2的计算公式为本发明的优点在于:可一次性得到最优吸收电路参数。
搜索关键词: 高频 开关 整流 吸收 电路 瞬态 模型 参数 测试 方法
【主权项】:
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