[发明专利]一种热敏电阻器、芯片材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110903779.8 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113674938B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杨幼斌;郑传发;郑海法;李鄂胜;张先锋 | 申请（专利权）人： | 开特电子云梦有限公司;湖北开特汽车电子电器系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01C17/00;H01C17/30;H01C1/024;H01C7/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 万青青 |
| 地址： | 430021 湖北省孝*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种热敏电阻器、芯片材料及其制备方法，属于电子元器件技术领域。该芯片材料，按照质量百分比，包括：四氧化三锰40％‑50％；四氧化三钴30％‑40％；氧化铝10％‑20％；氧化铬2％‑8％，共计100％。该制备方法，包括：按照配比将各组分混合并球磨得到第一混合物；将第一混合物烘干，之后升温至500‑600℃进行煅烧，之后继续升温至900‑1000℃进行煅烧，之后降温至500‑600℃保温得到第二混合物；将第二混合物采用湿法流延工艺制成中间体；将中间体升温至500‑600℃并保温，之后继续升温，之后降温得到所述芯片材料。该芯片材料的年漂移率小于0.1％，而且精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热敏 电阻器 芯片 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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