[发明专利]一种基于相位检测原理的MEMS压力传感器及制备方法有效
| 申请号： | 202110905535.3 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113353883B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李维平;兰之康;邵文东 | 申请（专利权）人： | 南京高华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00;G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 210049 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于相位检测原理的MEMS压力传感器及制备方法，包括：CPW传输线，设置在衬底上，该CPW传输线包括CPW信号线以及位于CPW信号线两侧的CPW地线，CPW信号线与CPW地线相互平行，凹槽设置在衬底上且位于CPW信号线下方；MEMS梁，位于凹槽的底面和靠近CPW地线的两个侧面上并呈倒置的拱桥状，且与CPW地线相连接；MEMS薄膜位于凹槽上方，并与CPW信号线的底面接触，其两端置于CPW地线上，并与凹槽形成密闭腔体。利用密闭腔体来感测外部环境的压强，RF信号在CPW传输线上传输前后的相位差发生变化，从而通过测量RF信号的相位便可获取环境压强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 相位 检测 原理 mems 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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