[发明专利]一种多插指埋栅结构的增强型高压HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110906419.3 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113594232A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 尹以安;连梦小;毛明华 | 申请（专利权）人： | 迪优未来科技（清远）有限公司;华南师大（清远）科技创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 511540 广东省清远市高新技术产业开发区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多插指埋栅结构的增强型高压HEMT器件及其制备方法，包括依次层叠的应力释放层、高阻缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；源极和漏极位于势垒层两端，与所述插入层接触；栅极位于势垒层上；栅电介质层，位于栅极和势垒层之间；包含插指埋栅单元的多插指埋栅结构，沿势垒层表面延伸至势垒层中一定深度，沿源极指向漏极的方向上，所述多插指埋栅结构与势垒层之间构成多个依次排列的PN结。本发明采用离子注入工艺形成的多插指埋栅结构的引入，大大提高了器件的耐压特性，同时减少了栅极的泄露电流，提升了饱和漏极电流的上限，在获得增强型器件的同时增大输出电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多插指埋栅 结构 增强 高压 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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