[发明专利]一种多孔黑硅材料的制备方法、荧光传感器制备方法及其用于检测爆炸物的方法在审
| 申请号： | 202110906966.1 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113638053A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王涛平;傅得锋;孙景志 | 申请（专利权）人： | 杭州芬得检测技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;C23F1/24;G01N21/64 |
| 代理公司： | 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人： | 马志洋 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多孔黑硅材料的制备方法、荧光传感器制备方法及其用于检测爆炸物的方法；将异丙醇和去离子水共混，并向混合后的异丙醇溶液中加入可溶性无机碱；取无机硝酸铁溶于去离子水中配置得硝酸铁溶液，再加入氢氟酸，混合均匀后得到酸刻蚀液；将清洁的硅片浸没到碱刻蚀液中，浸没并清洗后得到碱刻蚀硅片；将碱刻蚀硅片浸没到酸刻蚀液中，浸没、洗净后即得到多孔黑硅材料；通过碱性蚀刻液将其刻蚀成尖锥形状，然后经酸液水热蚀刻进行表面改性得到多孔结构的黑硅材料。本发明还制备了以此为基底的多孔黑硅气体荧光传感器！该气体荧光传感器在爆炸物探测器中作为敏感材料检测硝基芳烃爆炸物TNT，TNT的最低检测限量可达到0.1ng水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 材料 制备 方法 荧光 传感器 及其 用于 检测 爆炸物 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州芬得检测技术有限公司，未经杭州芬得检测技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110906966.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
