[发明专利]一种热载流子效应和总剂量效应的耦合仿真方法有效
| 申请号： | 202110907226.X | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113591320B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;高子厚;陈树鹏;王树龙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/14 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;陈媛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热载流子效应和总剂量效应的一种耦合仿真方法，主要解决现有技术无法准确得到NMOS场效应管电学特性随时间变化的问题，其实现方案是：利用TCAD工具的Sentaurus软件进行建模得到NMOS器件结构；对该器件利用施加的热载流子应力提取出器件的栅氧化层电荷和界面态陷阱电荷浓度进行仿真，得到器件在热载流子应力下的电学特性；然后激活Radiation模型进行总剂量效应和热载流子效应的耦合仿真，得到器件在耦合应力下的退化特性。本发明相比现有技术采用加固定电荷的方法，能更加准确的反映出总剂量效应对热载流子效应的影响，可用于获得NMOS场效应晶体管的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 效应 剂量 耦合 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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