[发明专利]掩膜结构及其制备方法及半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202110908089.1 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113643966B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 曹新满;夏军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种掩膜结构、掩膜结构的制备方法及半导体结构的制备方法，包括形成由下至上依次叠置的图形转移层、刻蚀停止层及图形化材料层；刻蚀图形化材料层以得到第一掩膜图形；于第一掩膜图形的侧壁、顶部及刻蚀停止层的表面形成第一侧墙材料层；形成第一填充层；刻蚀第一填充层，以得到第二掩膜图形；于第二掩膜图形的侧壁、顶部及刻蚀停止层的表面形成第二侧墙材料层；形成第二填充层；去除位于第一掩膜图形顶部及第一掩膜图形侧壁的第一侧墙材料层，并去除位于第二掩膜图形顶部及第二掩膜图形侧壁的第二侧墙材料层，以得到初始掩膜图形。本申请提供的掩膜结构、掩膜结构的制备方法及半导体结构的制备方法可以减少工艺流程，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 及其 制备 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110908089.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：DC-DC转换器
- 下一篇：一种具有多角度调节装置的接驳爪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
