[发明专利]一种碳化硅半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202110908129.2 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113643970A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 何志;郑柳 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/337;H01L21/329;H01L21/04 |
| 代理公司： | 重庆西南华渝专利代理有限公司 50270 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅半导体器件的制作方法，具体包括以下步骤：S1，在碳化硅衬底表面采用外延工艺进行外延，先后得到缓冲层和外延层；S2，在外延层上先后进行介质薄膜沉积和光刻形成图形化第一掩膜层，再通过刻蚀形成栅极沟槽；S3，在步骤S2得到的样品外延层表面再次进行外延生长形成栅极掺杂区；S4，采用化学机械抛光，去除外延层表面多余的外延薄膜，对样品表面进行平坦化处理。本发明采用外刻蚀工艺，再次外延和表面平坦化相结合的工艺，可实现多种碳化硅器件结构的制备；且制备工艺简单，实用性强，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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