[发明专利]具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法在审
| 申请号： | 202110908605.0 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN114388345A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 林诗恩;吴威政;曾纬伦;吴文杰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供半导体元件的制备方法，包括：提供基底在反应腔室中；形成未处理氮化硅膜在基底上；形成处理过氮化硅膜在未处理氮化硅膜上。形成未处理氮化硅膜包括：(a)供应第一硅前驱物进入反应腔室；(b)供应氮前驱物进入反应腔室。(a)与(b)按序且重复执行以形成未处理氮化硅膜。形成处理后氮化硅膜包括：(c)提供第二硅前驱物进入反应腔室；(d)通过提供多个氢自由基进入反应腔室以减少来自第二硅前驱物的化学物种中的杂质来执行第一氢自由基清除；(e)供应第二氮前驱物进入反应腔室。(c)、(d)及(e)按序且重复执行以形成处理后氮化硅膜。未处理氮化硅膜与处理后氮化硅膜一起形成氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 蚀刻 氮化物 半导体 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
