[发明专利]防止ESD破坏TFT的方法、TFT的制备方法、显示面板在审
| 申请号： | 202110912249.X | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113690153A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘军正 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种防止ESD破坏TFT(英文全称：Thin Film Transistor，中文：薄膜晶体管)的方法、TFT的制备方法、显示面板，通过对测试数据进行拟合，获取TFT的抗ESD能力与每一膜层的制备参数之间的关系，即在所述栅极层的爬坡角的角度范围为0°‑40°，且栅极层的爬坡角的角度越小，所述TFT的抗ESD能力越强；所述栅极绝缘层的厚度越大，所述TFT的抗ESD能力越强。根据上述关系，设置TFT的各膜层的制备参数，防止ESD破坏TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 esd 破坏 tft 方法 制备 显示 面板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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