[发明专利]一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法及其IGBT器件在审
| 申请号： | 202110912253.6 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113675086A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强;张永利;刘文 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市城阳*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法及其IGBT器件，属于半导体集成电路制造技术领域，该一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法包括步骤S1，提供一半导体衬底，利用外延生长法在半导体衬底的上表面依次生长形成P+集电层、N+电场阻止层和N型漂移区；步骤S2，通过干法刻蚀对N型漂移区进行刻蚀出第一沟槽，完成后将半导体硅片进行清洗；步骤S3，通过高温化学气相沉积法在第一沟槽的内壁生长一层槽壁介质层并进行退火处理，完成后对槽壁介质层的内部进行填充形成源级介质层；优化器件制造步骤，在沟槽进行离子注入前，清理不必要的杂质，避免对器件进行干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空穴 阻挡 载流子 存储 制造 方法 及其 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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