[发明专利]一种用于硅片的外延生长的基座支撑架、装置及方法有效
| 申请号： | 202110912704.6 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113604871B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 俎世琦;金柱炫 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 李斌栋;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市市辖*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于硅片的外延生长的基座支撑架、装置及方法；所述基座支撑架包括：从所述基座支撑架的纵向轴线开始径向向外并且轴向向上延伸的四根基座支撑手臂，所述四根基座支撑手臂在绕所述纵向轴线的周向方向上均匀分布，所述四根基座支撑手臂的远端部一起支撑用于对所述硅片进行承载的基座；分别连接至所述四根基座支撑手臂上的四个凹透镜，每个凹透镜沿着所连接的所述基座支撑手臂延伸，所述四个凹透镜设置成使得相应于承载在所述基座中的所述硅片的四个110晶向分别在竖向上与所述四根基座支撑手臂对准，在所述竖向上经由所述四个凹透镜分别辐射到所述硅片的四个110晶向的位置处的辐射热能够被所述四个凹透镜折射并发散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 外延 生长 基座 支撑架 装置 方法 | ||
【主权项】：
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