[发明专利]一种已图形化的磁性隧道结晶圆的磁阻测试结构及其使用方法在审
| 申请号： | 202110915217.5 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113644003A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 吕术勤;陈文静;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 谷轶楠 |
| 地址： | 100086 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种已图形化的磁性隧道结晶圆的磁阻测试结构及其使用方法，涉及已图形化磁性隧道结晶圆磁阻测试领域，包括：磁隧道结通孔，磁隧道结，pad测试点以测试及引线。所述测试结构与产品器件集成在同一张版图中在所述待作业晶圆上共同完成流片制程。所述结构将磁隧道结利用不同间距的通孔，通过测试引线连接外接测试pad点位，根据需求筛选确定通孔间距并进行多组磁隧道结阻值测量，最终拟合得到MR和RA值。此测试过程期间可降低测试过程中带来的器件击穿等引起的测量数据失真的风险，同时由于多测试点位排列组合的关系，可以实现对需求MR和RA值更精确的拟合，利于对图形化晶圆制备过程中MR值等核心参数的准确监控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 磁性 隧道 结晶 磁阻 测试 结构 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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