[发明专利]一种具有隐埋层的BRT及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有隐埋层的BRT，n‑漂移区上部设有p基区及n+阴极区；n‑漂移区上部的p基区的两侧设有与p基区两侧相接触的隐埋层；在隐埋层上方靠外侧设有p++分流区，两侧的p++分流区上表面铝层与n+阴极区上表面铝层连成阴极K；部分n+阴极区、p基区及部分p++分流区上表面共同设有栅氧化层及多晶硅层的栅极G；阴极K与栅极G之间设有磷硅玻璃层；在n‑漂移区下表面依次设有nFS层、p+阳极区和金属化阳极A；该隐埋层选用N型的掺杂层；或者选用隐埋二氧化硅层。本发明还公开了该种具有隐埋层BRT的制造方法。本发明的BRT，有效抑制了电压折回现象，降低了器件通态压降并提高开关速度，从而降低了能耗。