[发明专利]一种用于提升单晶生长速度的装置及方法在审
| 申请号： | 202110916238.9 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113481591A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 兰志勇;王军磊;王艺澄 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 周琪 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提升单晶生长速度的装置，包括坩埚本体（1）、硅溶液（2）、导流筒（3）、水冷热屏（4）和单晶硅棒（5），水冷热屏（4）的主体内部设有循环管路（4a），循环管路（4a）的进口与进水管路（6）相连、出口与出水管路（7）相连；水冷热屏（4）的内表面设为散热面（4b），散热面（4b）上连接一组散热片（8），散热片（8）的宽度由上至下逐渐减小，散热片（8）的外侧（8a）与散热面（4b）相连、内侧（8b）正对着单晶硅棒（5）设置，且每个散热片（8）的内侧（8b）到单晶硅棒（5）的最短距离相同。本发明的优点是提高水冷热屏的散热效果，增强单晶硅棒生长速度，提升生产产量，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提升 生长 速度 装置 方法 | ||
【主权项】：
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