[发明专利]阵列基板的修复方法和阵列基板在审
申请号: | 202110917485.0 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN113690280A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 申郑 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种阵列基板的修复方法和阵列基板。阵列基板的修复方法包括:提供一阵列基板,所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层和阳极层,所述阳极层包括待修复区域;提供一静电吸附层,所述静电吸附层位于所述阳极层的一侧;对所述阳极层施加正电压,对所述静电吸附层施加负电压;采用激光透过所述静电吸附层修复所述阳极层的待修复区域。采用本申请提供的阵列基板的修复方法修复阳极层的待修复区域,修复过程中产生的粒子因带正电性被阳极层排斥,同时会被具有负电性的静电吸附层吸附至静电吸附层朝向阳极层的表面,从而避免粒子落入正常的像素区,导致后续制备的显示面板的阳极层和阴极层发生短接。 | ||
搜索关键词: | 阵列 修复 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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