[发明专利]一种钙钛矿膜层的制备方法、制备装置以及钙钛矿太阳能电池在审
申请号: | 202110919684.5 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN113644209A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 吴俊杰;李明洁;王雪戈 | 申请(专利权)人: | 无锡极电光能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种钙钛矿膜层的制备方法、制备装置以及钙钛矿太阳能电池,所述制备方法为一种采用近空间气相输运和近空间升华两步法制备钙钛矿膜层的方法,该制备方法利用近空间气相输运法在基底上先预制一层无机骨架层,再利用近空间升华法在无机骨架层上沉积有机组分,最后通过有机晶化过程形成钙钛矿膜层,在制备钙钛矿膜层时具有大面积均匀成膜、钙钛矿晶体纯度高且形貌可控、不依赖基底平整度等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿膜层 制备 方法 装置 以及 钙钛矿 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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