[发明专利]一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202110919743.9 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809184A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李志云;蒋柱;李跃 | 申请（专利权）人： | 东方日升（安徽）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙) 34167 | 代理人： | 洪余节 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市常州*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法，涉及PERC晶硅太阳能电池技术领域，制备方法，包括以下步骤；S1：在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；S2：在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成SiC：H膜层；其中，形成SiC：H膜层为通入反应气体SiH4、CH4进行沉积，通入时间为10～30秒，反应气体SiH4和CH4的通入流量比为1：(2～10)，本发明在硅基体正面和背面分别采用SiC：H膜层加氮化硅或氮氧化硅膜层替代传统氮化硅组合膜层以及氧化铝叠加氮化硅膜层，通过在形成SiC：H膜层时调节通入的CH4比例，以实现对C含量进行调整，C含量越高导电性越好，以实现对SiC：H膜层导电性以及不同波长透光率进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 perc 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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