[发明专利]一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块在审
| 申请号： | 202110922939.3 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113744779A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 邢国忠;刘龙;王迪;林淮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/15;G06N3/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块，其中，磁阻存储器单元包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结和金属层；第一磁隧道结和第二磁隧道结均设置在金属层上；金属层被配置为用于通过写电流，第一磁隧道结的易轴在金属层所在平面与写电流所在方向呈第一角度，第二磁隧道结的易轴沿金属层所在平面与写电流所在方向呈第二角度，第一角度和第二角度相对于写电流所在方向的偏转方向相反；第一磁隧道结和第二磁隧道结被配置为用于通过读电流。本发明磁阻存储器单元可实现无外加磁场辅助的全电控的超快磁化翻转，有利于大规模集成，且在读取信息时可通过自参考机制实现读取，提高读取裕度，进而增强读可靠性，降低读延时。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 存储器 单元 控制 方法 模块 | ||
【主权项】：
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