[发明专利]一种先切SDB FinFET的制造方法在审
| 申请号： | 202110924952.2 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113782435A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种先切SDB FinFET的制造方法，在基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，Fin结构上形成有SiN层；沉积薄型氧化层；沉积介质层之后退火；研磨露出SiN层上表面；在SiN层上形成SDB光刻胶图形；沿SDB光刻胶图形刻蚀SiN层及Fin结构，形成SDB凹槽；在SDB凹槽的底部形成氧化层；在SDB凹槽的中部形成SiN；在SDB凹槽顶部形成SiC；去除SiN层使Fin结构上表面暴露，并使SiC暴露；在Fin结构上及SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极；在SDB凹槽一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiP外延结构；在SDB凹槽另一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiGe外延结构；沉积层间介质层覆盖伪栅极；研磨层间介质层至露出伪栅极顶部为止；去除伪栅极，形成凹槽；形成HK金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sdb finfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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