[发明专利]凹槽掩模版的制作方法在审
申请号: | 202110926627.X | 申请日: | 2021-08-12 |
公开(公告)号: | CN113641078A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 王栋;谢超;侯广杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F1/68;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 | 代理人: | 欧志明 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于掩模版制造技术领域,尤其涉及一种凹槽掩模版的制作方法,包括:预备基板:预备透光基板,其中,透光基板具有图形板面;开槽加工:在所述图形板面上加工出圆环状的凹槽;镀铬涂胶:在所述图形板面以及所述凹槽的槽壁、槽底上先镀铬层,再涂光刻胶层;光刻处理:先曝光再显影,使所述铬层呈现出预设图形结构。本发明相对于现有技术,降低了加工凹槽对产品良率的影响,提高了产品良品率。 | ||
搜索关键词: | 凹槽 模版 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市龙图光电有限公司,未经深圳市龙图光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110926627.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:强磁性二度体的勘探方法和勘探系统
- 下一篇:一种粒子阻尼壁板的设计方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备