[发明专利]一种多结型锗基长波红外探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种多结型锗基长波红外探测器及制备方法，所述探测器由锗基底、电极区、吸收区、阻挡区、引线电极和钝化层组成，制备方法包括四个步骤，即通过光刻、离子注入、快速退火、薄膜淀积和干法刻蚀等工艺在高阻锗基底上依次形成吸收区、电极区、钝化层和引线电极。本发明制备的长波红外探测器，在传统阻挡杂质带探测器结构的基础上，引入多个吸收区和阻挡区，从而获得多个耗尽区，使得耗尽区宽度增加，器件有效吸光区域增大，探测器的响应率和探测率得到提高。本发明的制备方法与当前的半导体工艺技术相兼容，研发和生产成本低。