[发明专利]一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法在审
| 申请号： | 202110933947.8 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113658881A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李泠;刘东阳;卢年端;王嘉玮;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法，该方法只需根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线即可提取到TFT的沟道缺陷态密度，其中，TFT的沟道缺陷态密度包括TFT的沟道界面缺陷态密度，与现有技术通常根据TFT的C‑V特性曲线来提取TFT的沟道缺陷态密度的方法相比，该方法更加简单快速，且该方法可以根据TFT在不同漏源电压下的转移特性曲线直接提取到TFT的沟道界面缺陷态密度，以便于后续区分TFT的沟道界面缺陷态密度和沟道内部缺陷态密度，从而定位TFT的沟道缺陷分布，进而分析沟道材料、工艺等对TFT性能的影响，这对TFT在实际生产过程中工艺的改进以及产品性能的检测指导性更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 沟道 缺陷 密度 提取 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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