[发明专利]一种引导自由电子透过固体的方法及固体结构有效

专利信息
申请号: 202110937648.1 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113658837B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 侯中宇;丁衡高;房茂波 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01J1/304 分类号: H01J1/304;H01J1/02;B82Y10/00
代理公司: 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙) 11462 代理人: 李超
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面,第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构;所述方法包括:控制固体的第一界面接触自由电子;向固体施加电场,使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过,大大提高电子束技术的应用范围,解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现,对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
搜索关键词: 一种 引导 自由电子 透过 固体 方法 结构
【主权项】:
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