[发明专利]基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法在审
申请号: | 202110938095.1 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113658853A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 刘胜北 | 申请(专利权)人: | 上海新微半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/335;C30B25/18;C30B29/40 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法,包括步骤:1)提供一用于GaN异质外延生长的衬底;2)于衬底表层进行Al元素注入,其中,Al元素的注入浓度大于衬底的Al元素固溶度;3)对衬底进行退火工艺以修复衬底的晶格缺陷,同时使衬底表层的Al元素从衬底中析出并在衬底表面形成Al成核层;4)向衬底表面通入Al源与N源,基于Al成核层在衬底表面进行AlN缓冲层的生长。本发明可以精确控制Al元素的注入剂量,解决了原来GaN异质外延生长的AlN缓冲层制备过程中,由于预通Al源工艺窗口较小的情况下造成的外延质量问题以及外延一致性问题。 | ||
搜索关键词: | 基于 al 离子 注入 gan 外延 缓冲 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微半导体有限公司,未经上海新微半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110938095.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造