[发明专利]基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法在审

专利信息
申请号: 202110938095.1 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113658853A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 刘胜北 申请(专利权)人: 上海新微半导体有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/265;H01L21/335;C30B25/18;C30B29/40
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 200120 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法,包括步骤:1)提供一用于GaN异质外延生长的衬底;2)于衬底表层进行Al元素注入,其中,Al元素的注入浓度大于衬底的Al元素固溶度;3)对衬底进行退火工艺以修复衬底的晶格缺陷,同时使衬底表层的Al元素从衬底中析出并在衬底表面形成Al成核层;4)向衬底表面通入Al源与N源,基于Al成核层在衬底表面进行AlN缓冲层的生长。本发明可以精确控制Al元素的注入剂量,解决了原来GaN异质外延生长的AlN缓冲层制备过程中,由于预通Al源工艺窗口较小的情况下造成的外延质量问题以及外延一致性问题。
搜索关键词: 基于 al 离子 注入 gan 外延 缓冲 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微半导体有限公司,未经上海新微半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110938095.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code