[发明专利]一种在硅上制作垂直腔面发射激光器阵列的方法在审
| 申请号： | 202110939670.X | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113764983A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王冰;施裕庚;陈哲茜;余思远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01S5/42 | 分类号： | H01S5/42;H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅上制作垂直腔面发射激光器阵列的方法，所述方法包括：在硅衬底上外延生长缓冲层之后，利用氮化硅或二氧化硅介质薄膜作为掩膜，用来定义后续外延生长的VCSEL的尺寸和形状，以及缓解大面积薄膜外延时由热膨胀系数失配导致的薄膜开裂和晶圆翘曲，从而制造出器件尺寸较小的VCSEL阵列，减小单个VCSEL中位错缺陷的数量或避开位错缺陷的影响，并通过进一步优化VCSEL的尺寸和阵列排布方式，以提高阵列器件的完好率，最终提高硅衬底上外延生长的VCSEL的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 垂直 发射 激光器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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