[发明专利]一种嵌脱锂过程中抑制裂纹形成的硅基负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110939791.4 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113394384A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 程晓彦;李晓东;闫明妍;李金熠;岳风树 | 申请（专利权）人： | 北京壹金新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京中知星原知识产权代理事务所(普通合伙) 11868 | 代理人： | 艾变开 |
| 地址： | 100190 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种嵌脱锂过程中抑制裂纹形成的硅基负极材料及其制备方法，所述硅基负极材料为三层复合结构，由内到外依次为硅基材料层、钙钛矿包覆层以及无定型碳包覆层；所述硅基材料层由选自B、P、Al、Zr、Ti、Mg中的至少一种元素掺杂；所述钙钛矿为LaMO |
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| 搜索关键词： | 一种 嵌脱锂 过程 抑制 裂纹 形成 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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