[发明专利]一种忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110941110.8 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113725357A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 俞景豪;刘晓艳;华传洋;王正;叶鹏飞;王磊;童祎 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层，其特征在于，所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层，所述阻挡层由Nb |
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| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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