[发明专利]二维半导体材料中光生载流子的差分反射探测方法在审
| 申请号： | 202110942317.7 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113670863A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 姚鹏;李昱江;杨林;王浩枫 | 申请（专利权）人： | 北京计算机技术及应用研究所 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01N21/55 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘瑞东 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种二维半导体材料中光生载流子的差分反射探测方法，属于超快激光泵浦探测领域。本发明利用二维半导体材料价带电子吸收光子并发生跃迁至导带的原理，在超快激光的激发下，通过测量二维半导体材料的反射光的方式，得到了微观电子的动力学过程。所述超快激光为脉冲持续时间在100飞秒左右、重复频率为80MHz、带宽为10纳米左右的相干光源，保证了光学测量的时间分辨率。本发明具有瞬时响应和飞秒—皮秒级别的时间分辨率。和宏观电学的电流探测手段相比，灵敏度更高，适用于微观探测领域，同时避免了电极材料对测量结果的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 半导体材料 中光生 载流子 反射 探测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京计算机技术及应用研究所，未经北京计算机技术及应用研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110942317.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
