[发明专利]一种大尺寸超薄铌酸锂晶片的切片方法有效
| 申请号： | 202110947270.3 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113386275B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 沈浩;徐秋峰;朱海瀛;沈蒋松;顾立家;杜翔川;王月辉 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/04;B24B27/06;B24B41/06;C30B33/10;C30B29/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314412 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸超薄铌酸锂晶片的切片方法，包括：采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对铌酸锂晶棒进行化学腐蚀；对腐蚀后的晶棒进行粘棒作业，并在晶棒头尾粘上树脂片，在晶棒正上端及两侧粘上树脂条；将粘好后的晶棒切割成晶片，所采用的切削液为环烷油，石蜡油，聚乙二醇单油酸酯，膨润土，磺酸钡盐按一定质量分数组成的混合溶液；将晶片进行脱胶处理；将脱胶后的晶片进行化学腐蚀，最终可以得到一种大尺寸超薄铌酸锂晶片，表面平坦度高，晶向偏差小，线痕深度小，加工碎片率低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 超薄 铌酸锂 晶片 切片 方法 | ||
【主权项】：
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