[发明专利]一种提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法在审
| 申请号： | 202110948243.8 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113686718A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊;贺贤汉;马敬伟;李炎;陈元华 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N3/60 | 分类号： | G01N3/60 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，在DCB覆铜陶瓷基板的制备过程中，增加菲林设计间距并提高腐蚀线速。采用上述技术方案后，通过改善DCB覆铜陶瓷基板的制备工艺，例如通过增加DCB菲林设计间距并提高腐蚀线速，从而减少DCB产品蚀刻工序的蚀刻因子，最终实现提高半导体制冷器、LED、功率半导体等DCB产品的冷热冲击可靠性能，提高客户对于产品日益严格的使用要求及使用环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 dcb 陶瓷 冷热 冲击 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
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