[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110950534.0 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113675098A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 邢程;董信国 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；在所述第一面上形成第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口；在所述第一开口内依次形成第一导电层和第二导电层，所述第二导电层表面(1，1，1)晶相占比大于第一导电层表面(1，1，1)晶相占比；提供第二衬底，所述第二衬底具有相对的第三面和第四面，所述第三面上形成有第二介质层，所述第二介质层内具有导电结构，所述第二介质层表面暴露出所述导电结构；将所述第一衬底的第一面朝向所述第二衬底的第三面进行键合，使所述第一介质层和第二介质层相固定，所述第二导电层表面和导电结构表面相固定。所形成的半导体结构电学稳定性好、使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
