[发明专利]一种吸收增强型硅基光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种吸收增强型硅基光电探测器及其制备方法，包括SOI衬底、波导以及SOI衬底上的光电探测器，光电探测器包括P型接触层、吸收层、N型接触层以及位于P型接触层和N型接触层之上的金属电极；所述SOI衬底从下至上为背衬底硅层、压应变氮化硅层以及顶硅层；所述N型接触层由向顶硅层局部区域中注入杂质后转化而来；顶硅层经过刻蚀得到所述波导，波导末端与N型接触层连接；所述SOI衬底中位于N型接触层两侧的顶硅层、氮化硅层以及背衬底硅层上表面部分通过刻蚀去除。本发明提出的探测器与III‑V族红外光电探测器相比，Ge探测器容易与Si集成；与传统Ge探测器相比，拥有更广的探测范围；与其他四族材料，如Sn，Pb等引入相比，氮化硅与CMOS完全兼容。