[发明专利]一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110954158.2 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113675278A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐洋喜 | 申请（专利权）人： | 江苏芯唐微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/40;H01L29/267;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/34;C23C14/04;C23C14/58 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳;聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法，涉及肖特基势垒二极管领域，该肖特基势垒二极管的N型半导体衬底的正面设置开设有肖特基窗口的钝化层，肖特基窗口处设置有金属场板终端，金属场板终端包括在N型半导体衬底的表面从下至上依次层叠的MoN合金膜、Mo金属层和Al金属层，利用MoN合金可以改善肖特基接触中存在的势垒非均匀现象，使得该肖特基势垒二极管在不同测试温度下，肖特基势垒几乎不发生变化，势垒的非均匀性得到明显的改善，从而提高肖特基二极管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mon 合金 肖特基势垒二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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